انواع حافظه در پیک

1-برنامه ( ذخیره دستورات )

2-داده ها ( ذخیره موقت داده ها )

حافظه های برنامه

1- حافظه ROM : در کارخانه سازنده پر می شود و با قطع منبع تغذیه پاک نمی شود .برای نشان دادن از علامت اختصاری CR استفاده می کنند .

2-حافظه PROM : یک بار توسط ما پر میشود و بارها خوانده می شود . برای نشان دادن از علامت اختصاری C یا CE استفاده می کنند .

این حافظه را OTP نیز گویند One Time Programming

3-حافظه EPROM : در صورت نیاز با نور ماورالبنفش پاک می شود . برای نشان دادن از علامت اختصاری JW استفاده می کنند .

4-حافظه FLASH : در صورت نیاز با ولتاژ پاک می شود و پر می شود . برای نشان دادن از علامت اختصاری F استفاده می کنند .

هر چهار حافظه برنامه با قطع منبع تغذیه از آنها پاک نمی شوند .

حافظه های داده

1-حافظه RAM :بیشترین ظرفیت حافظه برای FLASH و کمترین آن برای RAM می باشد .

2-حافظه EEPROM :همان حافظه FLASH با کمی تفاوت . برای تغییر برنامه FLASH باید آنرا پاک و دوباره

برنامه نویسی کرد ولی EEPROM را می توان پشت سرهم برنامه نویسی کرد (بایت به بایت)

مفهوم ICSP : برنامه ریزی میکروکنترلر از طریق دو سیم و درون مدار

این برنام ریزی به صورت سریال انجام می شود .

پایه PGC : از این پایه می توان به عنوان کلاک برنامه ریزی استفاده نمود .

پایه PGD : این پایه برای داده برنامه ریزی مورد استفاده قرار می گیرد .

VPP در طول برنامه ریزی PIC در درون مدار حداقل باید به ولتاژ 13 ولت وصل شود .

سرعت عملکرد PIC :

فرکانس کلاک PIC بین 0-40MHZ می باشد .

در این حالت 4/1کلاک اصلی به ریزپردازنده اعمال می شود .

ساختار Harvard در پیک :

تعیین اسیلاتور در PIC :

1-حالت(Low Power Crystal) LP (مصرف کم)

مصرف جریان در این حالت حدود 5 میکرو آمپر است .

F<= 200 kHz c= 20pf

2-حالت XT Normal Crystal/Resonator

مصرف جریان در حدود 5 میلی آمپر است .

200 kHz<= f <= 4 MHz

3-حالت HS High Speed Crystal/Resonator

مصرف جریان در حدود 13.5 میلی آمپر است .

f >= 4 MHz c=50pf

4-حالت RC Resistor Capacitance

در این حالت به علت تلورانس عناصر و تاثیر دما دقتش کم می باشد .

5- Internal Clock

پاورپوینت انواع حافظه در ۲۹ اسلاید زیبا و قابل ویرایش با فرمت pptx

انواع حافظه

· RAM

· ROM

· Cache

· Dynamic RAM

· Static RAM

· Flash Memory

· Virtual Memory

· Video Memory

· BIOS

پاورپوینت مقدمه ای بر ساختار حافظه فلش در 32 اسلاید زیبا و قابل ویرایش با فرمت pptx

حافظه ی فلش چیست ؟

سیستم های کامپیوتری ، از تجهیزات ساده تا شبکه های پیچیده ، شامل اجزای گوناگون و متنوعی می باشند : پردازنده ها ، نمایشگرها ، نرم افزارها ، درایورها ، صفحه کلیدها ، موشواره ها ، مدارات فیبر چاپی ، سوئیچ ها ، مودم ها ، و البته حافـظه ها تنها چند مورد از آن هاهستند .

اما به راستی حافظه و به ویژه حافظه ی فلش چیست ؟

به طور کلی حافظه عبارتسـت از قابلیت نگهداری اطلاعات دیجیتال تحت شرایط معین .

حافظه ی فـلش در واقع نوع تکامل یافته ای از حافظه ی EEPROM بوده و یک حافظه آرایه مانند محسوب می شـود . آدرس دهی در این گونه ازحافظه به جای بایت در سطح بلاکی انجام می شود ، از این رو عمل نوشتـن اطلاعات در آن بسیار سریع تر از حافظه ی EEPROM انجام می گیرد . حافظه ی فلش از ترانزیستور های با گیت های شناور به منظور ذخیره سازی اطلاعات استفاده می کنـد که اگر به طور دقیق کنترل شود ، می توان در هر ترانزیستور 2 بیت داده را ذخیره نمود . حافظه های فلش استاندارد از هر ترانزیستور تنها برای نگهداری یک بیت بهره می برند، اما چگالی داده در آن ها نسبت به حافظه های حساس تر که در هر ترانزیستور 2 بیت را ذخیره می کنند ، نصف می باشد .

انواع حافظه ی فلش :

حافظه ی های فلش به نوبه ی خود به انواع مختلفی تقسیم می شونـد ، ایـن دسته بندی بر اساس فناوری بکار رفته در ساخـت آن ها و درواقع وابسته به نوع گیت های سخت افزاری است که در هر دسته برای ذخیره سازی اطلاعات از آن استفاده می شـود . ضمن اینکه نحوه ی خواندن و نوشتن اطلاعات در هر گونه متفاوت است . از مهمترین این فناوری ها می توان به فناوری های NOR , DINOR , T-Ploy , AND و NAND اشاره نمود که هر یک از آن ها به وسیله ی یک یا چند کمپانی عمده توسعه یافته اند . نمودار شماره 2 و جدول شماره 2 اطلاعات بیشتری را در این باره ارائه می دهند :

معماری NAND و NOR در ساختار حافظه های فلش :

همانطور که اشاره شد ، حافظه های فلش با معماری مبتنی بر NAND و NOR از متداول ترین انواع حافظه های فلش هستند و کاربرد آن ها در سطح وسیعی در زندگی روزمره قابل مشاهـده است ؛ شکل شماره 2 گوشه ای از کاربـردهای عمده ی این حافظه ها را نمایـش می دهد . همانطور که در این شکل دیده می شود ، حافظه های با فناوری NOR از نظر کاربرد سطح وسیع تری را پوشش می دهند ، لذا ما در اینجا ابتدا ساختار داخلی یک حافظه ی فلش با فناوری NOR را اجمالاً بررسی نموده و به دلیل شباهت منطقی که میان این ساختار با ساختارحافظه های NAND وجود دارد ، از بررسی ساختمان داخلی حافظه های فلش با فناوری NAND خودداری کرده و تنها مقایسه ای بین این دو نوع حافظه انجام خواهیم داد

هردوی حافظه های EPROM و FLASH از دو لایه ی پلی سیلیکن استفاده می کنند ، اولین لایه به وسیله ی یک لایه ی عایق از گیت کنترل جدا شده است ، و گیت کنترل نیز خود با یک لایه ی نازک از جنس اکسید از لایه ی زیرین تمیز داده شده است . این جداسازی به اولین لایه ی پلی سیلیکن (گیت شناور) این اجازه را می دهد تا بتواند شارژ الکتریکی را نگهداری کند . دومین لایه ی پلی سیلیکن با خط کلمه (wordline) مرتبط بوده و به عنوان یک گیت کنترلی عمل می کند . به هر حال تفاوت های اساسی میان یک سلول حافظه ی فلش با یک سلول EPROM برای پاک کردن الکتریکی اطلاعات وجود دارد . حافظه های فلش یک لایه ی اکسیدی نازک تر ( تقریباً با ضخامت 100 آنگستروم ) و Source ضخیم تر دارند تا بتوانند سرعت عملیات پاک شدن را افزایش دهند .