فایل شاپ
فروش مقاله،تحقیقات و پروژه های دانشجویی،دانلود مقالات ترجمه شده،پاورپوینتفایل شاپ
فروش مقاله،تحقیقات و پروژه های دانشجویی،دانلود مقالات ترجمه شده،پاورپوینتپروژه ارگونومی ( شرکت عصر صنعت شرق)
| دسته بندی | الکترونیک و مخابرات |
| بازدید ها | 37 |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 37 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 11 |
*پروژه ارگونومی ( شرکت عصر صنعت شرق)*
مقدمه :
پروژه ای که در دست شماست در مورد عوامل انسانی یا ارکونومی می باشد به عبارت ساده تو منظور از اصطلاح عوامل انسانی طراحی برای کاربوی انسان است .
تعریف عوامل انسانی : پیش از این تعریف باید چند اصطلاح راتعریف کنیم . عوامل انسانی اصطلاحی است که در ایالت متحده وچندکشور دیگر به کار می رود . اصطلاح ارگوندی اگر چه در ایالت متحده هم به کار می رود ولی در اروپا ودیگر کشورها رایجتر است بعضی ها سعی می کنند بین این دو تمایز قائل شوند اما به عقیده ما هر نوع تمایز قائل شدن اختیاری است ودر همه موارد علمی این دو اصطلاح متفاوتند . اصطلاح دیگری که گاهی در ارتش امریکا به کار می رود مهندسی انسانی است اما اهل فن این اصطلاح را زیاد نمی پسندند واین اصطلاح کم کم رواج می افتد اصطلاح دیگر روانشناسی مهندسی است که در نزد بعضی از روانشناسان در ایالات متحده رایج است بعضی روانشناسی مهندسی راتحقیق پایه در مورد قابلیتها ومحدودیتهای انسان می دانند و آنرا از عوامل انسانی که بیشتر به کاربرد اطلاعات در طراحی مربوط می شود می کند .
عوامل انسانی دوهدف مهم دارندهدف اول افزایش بازدهی و کارآیی انجام کار و فعالیتهای دیگر است وهدف دوم تقویت بعضی ارزشهای انسانی مطلوب از جمله افزایش ایمنی ، کاهش خستگی وتنش افزایش راحتی ، افزایش مقبولیت نزد کارگر ، افزایش میزان رضایت شغلی وبهبود کیفیت زندگی است .
که ما در این پروژه بیشتر در موردهدف دوم عوامل انسانی تحقیق کرده ایم . عوامل انسانی اطلاعاتی در مورد رفتار توانایی محدودیتها وسایر مشخصه های انسان کشف می کندواین اطلاعات رادرطراحی ابزارها دستگاهها سیستمها ، تکلیفها ، شغلها ، و محیطهای مختلف به کار می برد تا بیشترین بهره وری ایمنی راحتی و کارآیی رادر هنگام استفاده انسان داشته باشد .
مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور
| دسته بندی | الکترونیک و مخابرات |
| بازدید ها | 23 |
| فرمت فایل | doc |
| حجم فایل | 59 کیلو بایت |
| تعداد صفحات فایل | 36 |
*مقاله آشنایی با ساختمان و عملکرد نیمه هادی دیود و ترانزیستور*
نیمه هادی ها و ساختمان داخلی آنها
نیمه هادی ها عناصری هستند که از لحاظ هدایت ، ما بین هادی و عایق قرار دارند، و مدار آخر نیمه هادیها ، دارای 4 الکترون می‌باشد.
ژرمانیم و سیلیکون دو عنصری هستند که خاصیت نیمه هادی ها را دارا می‌باشند و به دلیل داشتن شرایط فیزیکی خوب ، برای ساخت نیمه هادی دیود ترانزیستور ، آی سی (IC ) و .... مورد استفاده قرار می‌گیرد.
ژرمانیم دارای عدد اتمی32 می‌باشد .
این نیمه هادی ، در سال 1886 توسط ونیکلر[1] کشف شد.
این نیمه هادی ، در سال 1810توسط گیلوساک[2] و تنارد[3] کشف شد. اتمهای نیمه هادی ژرمانیم و سیلیسیم به صورت یک بلور سه بعدی است که با قرار گرفتن بلورها در کنار یکدیگر ، شبکه کریستالی آنها پدید می‌آید .
اتم های ژرمانیم و سیلیسیم به دلیل نداشتن چهار الکترون در مدار خارجی خود تمایل به دریافت الکترون دارد تا مدار خود را کامل نماید. لذا بین اتم های نیمه هادی فوق ، پیوند اشتراکی برقرار می‌شود.
بر اثر انرژی گرمائی محیط اطراف نیمه هادی ، پیوند اشتراکی شکسته شده و الکترون آزاد می‌گردد. الکترون فوق و دیگر الکترون هائی که بر اثر انرژی گرمایی بوجود می‌آید در نیمه هادی وجود دارد و این الکترون ها به هیچ اتمی‌وابسته نیست.
د ر مقابل حرکت الکترون ها ، حرکت دیگری به نام جریان در حفره ها که دارای بار مثبت می‌باشند، وجود دارد. این حفره ها، بر اثر از دست دادن الکترون در پیوند بوجود می‌آید.
بر اثر شکسته شدن پیوندها و بو جود آمدن الکترون های آزاد و حفره ها ، در نیمه هادی دو جریان بوجود می‌آید.جریان اول حرکت الکترون که بر اثر جذب الکترون ها به سمت حفره ها به سمت الکترون ها بوجود خواهد آمد و جریان دوم حرکت حفره هاست که بر اثر جذب حفره ها به سمت الکترون ها بوجود می‌آید. در یک کریستال نیمه هادی، تعداد الکترونها و حفره ها با هم برابرند ولی حرکت الکترون ها و حفره ها عکس یکدیگر می‌باشند.
1. نیمه هادی نوع N وP
از آنجایی که تعداد الکترونها و حفره های موجود در کریستال ژرمانیم و سیلیسیم در دمای محیط کم است و جریان انتقالی کم می‌باشد، لذا به عناصر فوق ناخالصی اضافه می‌کنند.
هرگاه به عناصر نیمه هادی ، یک عنصر 5 ظرفیتی مانند آرسنیک یا آنتیوان تزریق[4] شود، چهار الکترون مدار آخر آرسنیک با چهار اتم مجاور سیلسیم یا ژرمانیم تشکیل پیوند اشتراکی داده و الکترون پنجم آن ، به صورت آزاد باقی می‌ماند.
بنابرین هر اتم آرسنیک، یک الکترون اضافی تولید می‌کند، بدون اینکه حفره ای ایجاد شده باشد. نیمه هادی هایی که ناخالصی آن از اتم های پنج ظرفیتی باشد، نیمه هادی نوع N[5] نام دارد.
در نیمه هادی نوع N ، چون تعداد الکترون ها خیلی بیشتر از تعداد حفره هاست لذا عمل هدایت جریان را انجام می‌دهند . به حامل
[1] winkler
[2] Gilosake
[3] Tanard
[4] Dopping
[5] Negative